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VB30100SG	文件：168.82 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.437VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.455VatIF=5A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VF30100S	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.39VatIF=5A UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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