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VF30100C	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C	文件：165.17 Kbytes Page：6 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3	文件：178.93 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbatht	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3	文件：214.65 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Lowthermalresistance •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3/4W	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3SLASH4W	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3	文件：152.56 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3/4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3SLASH4W	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30100C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VF30100C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	VF30100C	VISHAY	23+	TO-220	8600	全新原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	VF30100C	NOV	23+	No	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多VF30100C供应商更新时间2025-5-25 14:02:00

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