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STPSC606G	文件：393.09 Kbytes Page：2 Pages	SiC Schottky Diode DESCRIPTION ·Switchingbehaviorindependentoftemperature ·DedicatedtoPFCboostdiode APPLICATIONS ·Antisaturationdiode ·Powerfactorcorrection(PFC) ·Snubber/clampdiode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STPSC606G-TR	文件：106.34 Kbytes Page：8 Pages	600 V power Schottky silicon carbide diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STPSC606G-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STR-A606XH	文件：279.51 Kbytes Page：13 Pages	PWMOff-LineSwitchingRegulatorICs	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
STR-A606XHD	文件：279.72 Kbytes Page：13 Pages	PWMOff-LineSwitchingRegulatorICs	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
STU606I	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU606I	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU606S	文件：149.4 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SufaceMountPackage.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STUD606S	文件：136.95 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SY606	文件：384.96 Kbytes Page：2 Pages	Seamlessextrudedaluminumcylindricalhousing.	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS

详细参数

型号：
STPSC606G
制造商：
ST
功能描述：
600 V power Schottky silicon carbide diode

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