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STPSC10C065-Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patter • AEC-Q101 qualified\n• No reverse recovery charge in application current range\n• Switching behavior independent of temperature• Recommended to PFC applications\n• PPAP capable\n• ECOPACK®2 compliantcomponent;	ST 意法半导体	ST
STPSC10C065-Y	文件：223.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode 文件：223.18 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
650
Average Rectified Current_max(A)：
10
VF_max(V)：
1.75
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
10
Reverse Current_max(mA)：
0.1
Total capacitive charge(nC)：
26.4
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
85
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
Automotive 650 V

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