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STP80N05-09	文件：114.77 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODE”ULTRAHIGHDENSITY”POWERMOSTRANSISTOR ■ULTRAHIGHDENSITYTECHNOLOGY ■TYPICALRDS(on)=7mΩ ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■SYNCROUNOUSRECTIFIERS ■HIGHCURRENT,HIG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP80N05-09	文件：372.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODE”ULTRAHIGHDENSITY”POWERMOSTRANSISTOR ■ULTRAHIGHDENSITYTECHNOLOGY ■TYPICALRDS(on)=7mΩ ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■SYNCROUNOUSRECTIFIERS ■HIGHCURRENT,HIG

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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