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STP410N4F7AG | Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 m typ., 180 A STripFETTM F7 Power MOSFET in a TO-220 package Features Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified AmongthelowestRDS(on)onthemarket ExcellentFoM(figureofmerit) LowCrss/CissratioforEMIimmunity Highavalancheruggedness Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET™F7technologyw | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
STP410N4F7AG | Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
AutomotiveN-channel40V,1.5mΩtyp.,180ASTripFET™F7PowerMOSFETinanI²PAKpackage Features Designedforautomotiveapplications AmongthelowestRDS(on)onthemarket ExcellentFoM(figureofmerit) LowCrss/CissratioforEMIimmunity Highavalancheruggedness Applications Switchingapplications Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFE | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号:
STP410N4F7AG
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
STripFET™ F7
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
180A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
4.5V,10V
- 功率耗散(最大值):
365W(Tc)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-220
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STM |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
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22+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
6900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
2022+ |
TO-220-3 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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ST |
22+ |
TO2203 |
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原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
63880 |
本公司只售原装 支持实单 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
TO-220-3 |
8880 |
原装认准芯泽盛世! |
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