STP410N4F7AG_分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个-意法半导体

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1000+	¥29.08505

厂家型号：
STP410N4F7AG
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个
封装外壳：
TO-220-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
通孔
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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详细信息
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原厂料号：STP410N4F7AG品牌：STMicroelectronics

资料说明：MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

STP410N4F7AG是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装TO-220-3的STP410N4F7AG晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

芯片型号：
STP410N4F7AG
规格书：
下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
资料说明：
MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

产品属性

类型
描述
产品编号：
STP410N4F7AG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
STripFET™ F7
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
功率耗散（最大值）：
365W（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

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