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STP400N4F6中文资料N-channel 40 V, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package数据手册ST规格书
STP400N4F6规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
Low gate charge
Very low on-resistance
High avalanche ruggedness
技术参数
- 型号：
STP400N4F6
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Rail/Tube
- 功能描述：
STP400N4F6 Series 40 V 120 A 1.7 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-220-3
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSI |
25+ |
PGA |
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ST |
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ST |
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TO-220 |
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VBsemi |
25+ |
TO220 |
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STMicroelectronics |
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原厂原包装 |
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ST |
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