STP3NB60数据手册ST中文资料规格书
技术参数
- 型号:
STP3NB60
- 功能描述:
MOSFET RO 512-FQP3N60 3/05
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
06+ |
TO-220 |
10000 |
自己公司全新库存绝对有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220F |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST |
TO-220 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
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询价 | ||
STP3NB60FP |
2721 |
2721 |
询价 | ||||
ST |
22+ |
TO-220 |
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原装正品现货 |
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ST |
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TO-220 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |