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STP165N10F4中文资料N-channel 100 V STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET, 4.1 mOhm, 160 A TO-220, H2PAK数据手册ST规格书
STP165N10F4规格书详情
描述 Description
The STP165N10F4 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET built with STripFET™ DeepGATE™ technology with a new gate structure. The product is tailored to minimize on-resistance.
特性 Features
• N-channel enhancement mode
• 100% avalanche rated
• Low gate charge
• Very low on-resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP165N10F4
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0055
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：180
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+23+ |
TO-220 |
16598 |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
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TO220 |
9000 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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ST/意法 |
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TO220 |
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ST |
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TO-220 |
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