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STP150N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP150N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0042
- Drain Current (Dc)_max(A)
：110
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：117
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO220 |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
2022+ |
TO-220 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
500000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
5852 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
96903 |
询价 | |||
ST |
23+ |
NA |
10000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
ST |
800 |
原装正品老板王磊+13925678267 |
询价 | ||||
ST |
25 |
TO-220 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
21+ |
标准封装 |
100 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
询价 |
