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STP150N10F7中文资料N沟道100 V、0.0036 Ohm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装数据手册ST规格书
STP150N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STP150N10F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0042
- Drain Current (Dc)_max(A)
:110
- PTOT_max(W)
:250
- Qg_typ(nC)
:117
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
2022+ |
TO-220 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
500000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
5852 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220- |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST |
25 |
TO-220 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
800 |
原装正品老板王磊+13925678267 |
询价 | ||||
STMICROELECTRONICS |
21+ |
标准封装 |
100 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
96903 |
询价 | |||
ST |
23+ |
NA |
10000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 |