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STP160N3LL中文资料N沟道30 V、2.5 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP160N3LL规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STP160N3LL
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0042
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0032
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：136
- Qg_typ(nC)
：42
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
17+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220A |
3800 |
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询价 | ||
STM |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
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STMicroelectronics |
2025 |
1945 |
全新、原装 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法 |
22+ |
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ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
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ST(意法) |
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20094 |
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