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STP140N6F7

N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n\n; • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

ST

STP140N6F7

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STP140N6F7

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

ISTH140N6F7

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

ISTP140N6F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STD140N6F7

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

技术参数

  • Package:

    TO-220AB

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    60

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.003

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    80

  • PTOT_max(W):

    110

  • Qg_typ(nC):

    40

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STP140N6F7供应商 更新时间2025-8-2 19:10:00