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STOE30G12	文件：440.18 Kbytes Page：3 Pages	High Efficiency Thyristor Discretes 文件：440.18 Kbytes 页数：3 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STOE30G12	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶闸管分立器件	Sirectifier 矽莱克电子	Sirectifier
STPSC30G12	文件：491.39 Kbytes Page：10 Pages	1200 V, 30 A power Schottky high surge silicon carbide diode Features • None or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Robust high voltage periphery • Operating Tj from -55 °C to 175 °C • Avalanche energy rated • ECOPACK2 compliant component 文件：491.39 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC30G12WL	文件：491.39 Kbytes Page：10 Pages	1200 V, 30 A power Schottky high surge silicon carbide diode Features • None or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Robust high voltage periphery • Operating Tj from -55 °C to 175 °C • Avalanche energy rated • ECOPACK2 compliant component 文件：491.39 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC30G12WLY	文件：493.05 Kbytes Page：10 Pages	Automotive 1200 V, 30 A power Schottky high surge silicon carbide diode Features • AEC-Q101 qualified and PPAP capable • None or negligible reverse recovery • Switching behavior independent of temperature • Robust high voltage periphery • Operating Tj from -55 °C to 175 °C • Avalanche energy rated • ECOPACK2 compliant component 文件：493.05 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

ITVM(A)：
30
IT@TC(°C)：
120
VDRM/VRRM(V)：
1200
ITSM 45°C/10ms(A)：
320
VTO(V)：
0.86
rT(mΩ)：
15
dv/dt(V/μs)：
1000
TVJM(°C)：
150
RthJC per chip(K/W)：
0.50
封装外形：
TO-247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
天津市博通航睿技术有限公司	ST-OE3-60DC/48DC/100	Phoenix/菲尼克斯	23/24+	2911045	8927	优势特价原装正品全产品线技术支持	询价
深圳市显胜光电科技有限公司	STOIMW750558I2SE31	Samsung			20000		询价
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深圳市昊天芯诚电子有限公司	ST-ONEHPTR	ST/意法半导体	25+	原厂封装	9999		询价
深圳市芯国创科技有限公司	ST-ONEHPTR	ST/意法半导体	25+	原厂封装	10280		询价

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