N沟道600 V、0.084 Ohm典型值、30 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-LL封装

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。 • 快速恢复体二极管 \n• 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值 \n• 低栅极电荷、输入电容和电阻 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 非常高的dv / dt耐用性 \n• 稳压保护 \n• 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能;

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意法半导体

丝印：65N60DM6；Package：TO-LL；N?멵hannel 600 V, 67 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO?멛L package

文件：1.56267 Mbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 600 V, 60 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in a TO??47 and TO??47 long leads packages

文件：340.49 Kbytes 页数：14 Pages

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N-channel 600 V, 60 m廓 typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in a TO??47 and TO??47 long leads packages

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