丝印：33N60M6；Package：TO-LLtypeA；N-channel 600 V, 105 m廓 typ., 25 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO?멛L package

文件：1.56306 Mbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：36N60M6；Package：TO-LLtypeA；N-channel 600 V, 85 m廓 typ., 30 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO?멛L package

文件：1.5619 Mbytes 页数：15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道600 V、105 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装

The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one • Reduced switching losses \n• Lower RDS(on) per area vs previous generation \n• Low gate input resistance \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected \n• Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin;

ST

意法半导体

N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装

新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。 意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺， 不仅改进了RDS(on) 密度，同时提升了开关特性，为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。 •  减少开关损耗 \n• 与上一代相比，具有更低的面积值 \n• 低栅极输入电阻 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护 \n •强爬电距离封装 \n•  分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能;

ST

意法半导体

STO325 - 恒温控制器, DISC

White rodgers