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STN4NF06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道60 V、0.07 Ohm典型值、4 A STripFET II功率MOSFET，SOT-223封装 This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics' unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and compu • AEC-Q101 qualified \n• Exceptional dv/dt capability \n• 100% avalanche tested \n• Low gate charge;	ST 意法半导体	ST
STN4NF06L	文件：611.93 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A SOT-223 STripFET??II Power MOSFET 文件：611.93 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STN4NF20L	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-223	STM 信盛精工上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	STM
STN93003	文件：0 bytes Page：0 Pages	con	STMICROELECTRONICS 意法半导体上传：北京天阳诚业科贸有限公司	STMICROELECTRONICS
STN9360	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT223	ST 上传：深圳市振鑫微电子科技有限公司	ST

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更多STN4NF06L供应商更新时间2025-11-20 8:31:00