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MG9410	文件：609.14 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MG9410-R	文件：609.14 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MMJT9410	文件：74.09 Kbytes Page：5 Pages	BipolarPowerTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMJT9410	文件：95.57 Kbytes Page：4 Pages	BipolarPowerTransistors BipolarPowerTransistors NPNSilicon •Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus) =30Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain—hFE =85(Min)@IC=1.0Adc =60(Min)@IC=3.0Adc •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat) =0.2Vdc(Max)@IC=	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMJT9410G	文件：74.09 Kbytes Page：5 Pages	BipolarPowerTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MT9410	文件：1.00403 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCID9410	文件：441.77 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeedQuad-ChannelDigitalIsolator Description TheNCID9401,NCID9411,NCID9400andNCID9410are galvanicallyisolatedhigh−speedquad−channeldigitalisolatorwith outputenable.Thisdevicesupportsisolatedcommunicationsthereby allowingdigitalsignalstocommunicatebetweensystemswithout conductinggroundloopsorhaza	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCIV9410	文件：441.77 Kbytes Page：15 Pages	HighSpeedQuad-ChannelDigitalIsolator Description TheNCID9401,NCID9411,NCID9400andNCID9410are galvanicallyisolatedhigh−speedquad−channeldigitalisolatorwith outputenable.Thisdevicesupportsisolatedcommunicationsthereby allowingdigitalsignalstocommunicatebetweensystemswithout conductinggroundloopsorhaza	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS9410	文件：230.94 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410A	文件：230.94 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410A-NL	文件：1.08619 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS9410-NL	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS9410S	文件：329.49 Kbytes Page：10 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410S-NL	文件：1.004 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NK9410D	文件：1.00395 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OPA9410	文件：112.24 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
OPA9410EDD	文件：102.61 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
PBSS9410PA	文件：290.01 Kbytes Page：16 Pages	100V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS8510PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PCA9410	文件：1.14441 Mbytes Page：27 Pages	3.0MHz,500mA,DC-to-DCboostconverter	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PCA-9410	文件：379.99 Kbytes Page：2 Pages	PulsedPrecisionCurrentSource	DEIDirected Energy, Inc 定向能源定向能源公司	DEI

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详细参数

型号：
STM9410A
制造商：
SAMHOP
制造商全称：
SAMHOP
功能描述：
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STM9410A供应商更新时间2024-5-19 14:04:00

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