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PBSS9410PA	文件：290.01 Kbytes Page：16 Pages	Marking：AG；Package：HUSON3；100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS8510PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS9410PA_15	文件：175.73 Kbytes Page：15 Pages	100 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS9410PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 2.7A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PCA-9410	文件：731.78 Kbytes Page：3 Pages	PulsedVoltageSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI
PCA-9410	文件：731.78 Kbytes Page：3 Pages	PulsedVoltageSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI
PCA-9410	文件：379.99 Kbytes Page：2 Pages	PulsedPrecisionCurrentSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI
PE9410	文件：255.6 Kbytes Page：3 Pages	7/16DINMaleto7/16DINFemaleRightAngleAdapter	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PJL9410	文件：370.27 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@10A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PL9410	文件：127.64 Kbytes Page：2 Pages	SMTPOWERINDUCTORS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
RK9410	文件：43.91 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,7A) Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
PBSS9410PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100V 2.7A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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