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STP45N10F7	文件：1.17964 Mbytes Page：19 Pages	N-channel100V,0.0145typ.,45A,STripFETVIIDeepGATEPowerMOSFETsinDPAK,I2PAKandTO-220packages Description TheseN-channelPowerMOSFETsutilizeSTripFET™F7technologywithanenhancedtrenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternalcapacitanceandgatechargeforfasterandmoreefficientswitching. Features •AmongthelowestRDS(on)on	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP45N10F7	文件：272.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤18mΩ •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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STP45N10F7

文件：1.17964 Mbytes

Page：19 Pages

N-channel100V,0.0145typ.,45A,STripFETVIIDeepGATEPowerMOSFETsinDPAK,I2PAKandTO-220packages

Description TheseN-channelPowerMOSFETsutilizeSTripFET™F7technologywithanenhancedtrenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternalcapacitanceandgatechargeforfasterandmoreefficientswitching. Features •AmongthelowestRDS(on)on

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STP45N10F7

文件：272.06 Kbytes

Page：2 Pages

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤18mΩ •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

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