High avalanche ruggedness

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意法半导体

N-channel 40 V, 0.00275 廓, 32 A, PowerFLAT??(5x6) STripFET??V Power MOSFET

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意法半导体

N-channel 60 V, 2.4 m廓 typ., 140 A STripFET??F7 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package

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意法半导体

汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 侧面可焊性封装;

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N沟道40 V、0.00275 Ohm、32 A PowerFLAT(TM) 5x6 STripFET(TM) V功率MOSFET

This N-channel Power MOSFET is developed using the STripFET™ F5 technology and has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class. • Low on-resistance RDS(on) \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

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意法半导体

N沟道60 V、0.0024 Ohm典型值、140 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体