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STL140N4F7AG

汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 侧面可焊性封装;

ST

意法半导体

STL140N4F7AG

High avalanche ruggedness

文件:927.71 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL24N60M2

ST
QFN

ST

STL50DN6F7

STM
DFN5X6

STL50DN6F7

ST
DFN5X6

ST

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0025

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    120

  • PTOT_max(W):

    111

  • Qg_typ(nC):

    29

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
24+
TDSON-8
5247
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ST(意法)
25+
5000
只做原装 假一罚百 可开票 可售样
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ST/意法半导体
22+
PowerFLAT-5x6-8
6001
原装正品现货 可开增值税发票
询价
ST/意法
22+
DFN5X6
14100
原装正品
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ST
23+
DFN
3000
原装正品欢迎来电咨询
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ST
2024+
N/A
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ST
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DFN5X6
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ST
22+
30000
原装现货,可追溯原厂渠道
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STMicroelectronics
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STMicroelectronics
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PowerFlat?(5x6)
3000
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更多STL140N4F7AG供应商 更新时间2025-10-7 16:36:00