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STL140N4F7AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 侧面可焊性封装; 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STL140N4F7AG

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汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • 通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 侧面可焊性封装;

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

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High avalanche ruggedness

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技术参数

Package：
PowerFLAT 5x6 WF
Grade：
Automotive
VDSS(V)：
40
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0025
Drain Current (Dc)_max(A)：
120
PTOT_max(W)：
111
Qg_typ(nC)：
29

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