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STL140N6F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道60 V、0.0024 Ohm典型值、140 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STL140N6F7	文件：944.84 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 2.4 m廓 typ., 140 A STripFET??F7 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package 文件：944.84 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP140N6F7	文件：321.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP140N6F7	文件：357.97 Kbytes Page：12 Pages	High avalanche ruggedness 文件：357.97 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多STL140N6F7供应商更新时间2025-12-12 11:15:00