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STL100N8F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道80 V、5.2 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力; 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STL100N8F7

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N沟道80 V、5.2 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装; • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n

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