| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SAMSUNGBGA |
20000 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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SAMSUNGBGA |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
37900 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法QFN5N6 |
22048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法QFN5N6 |
26316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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ST(意法半导体)PQFN-8(5x6) |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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STQFN |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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STPOWERFLAT(65 |
16850 |
1912+ |
绝对原装现货 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ST(意法)QFN |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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STQFN5N6 |
3000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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STMicroelectronics Asia PacifiSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ST/意法DFN |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ST/意法DFN3.3x3.3 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法POWERFLAT5X6 |
3540 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体PowerFLAT-8 |
6002 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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STMPower FLAT 5x6 8L SINGLE |
3000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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STPower |
12000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法QFN |
832 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
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6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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ST/意法QFN8 |
30000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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STL10图片
STL100N6LF6价格
STL100N6LF6价格：￥11.2058品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STL100N6LF6多少钱，想知道STL100N6LF6价格是多少？参考价：￥11.2058。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STL100N6LF6批发价格及采购报价，STL100N6LF6销售排行榜及行情走势，STL100N6LF6报价。
STL100N10F7中文资料Alldatasheet PDF
更多STL100N10F7功能描述:MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STL100N1VH5功能描述:MOSFET N-Ch 12V 0.0022 Ohm 25A STripFET V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STL100N6LF6功能描述:MOSFET N-Ch 60V 0.0038 Ohm 22A STripFET VI MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STL100NH3LL功能描述:MOSFET STRIPFET III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STL100NH3LL_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0032ohm - 25A - PowerFLAT(6x5) STripFET III Power MOSFET
STL100NH3LL_08制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V - 0.0032 Ω - 25 A - PowerFLAT?(6x5) STripFET? III Power MOSFET
STL100NHS3LL制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0032Ω - 22A - PowerFLAT?(6x5) STripFET? Power MOSFET plus monolithic Schottky
STL106D功能描述:两极晶体管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
STL10DN15F3功能描述:MOSFET N-Ch 150V 0.20Ohm 2.8A pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STL10N3LLH5功能描述:MOSFET N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
