STGWA40H65DFB2_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

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1+	¥33.53000

厂家型号：
STGWA40H65DFB2
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
570
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 13:00:00

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原厂料号：STGWA40H65DFB2品牌：STMicroelectronics

资料说明：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

STGWA40H65DFB2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装TO-247-3的STGWA40H65DFB2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
stgwa40h65dfb2
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
资料说明：
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGWA40H65DFB2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
765µJ（开），410µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/72ns
测试条件：
400V，40A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 长引线
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40

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STGWA40H65DFB2

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