IHW30N120R5XKSA1_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

订购数量	价格
1+	¥31.50000

厂家型号：
IHW30N120R5XKSA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
636
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 15:10:00

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原厂料号：IHW30N120R5XKSA1品牌：Infineon Technologies

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IHW30N120R5XKSA1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-247-3的IHW30N120R5XKSA1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
ihw30n120r5xksa1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
HOME APPLIANCES 14

产品属性

类型
描述
产品编号：
IHW30N120R5XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，30A
开关能量：
1.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/330ns
测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
HOME APPLIANCES 14

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IHW30N120R5XKSA1

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