IXXH80N65B4D1_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-IXYS

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1+	¥91.16000

厂家型号：
IXXH80N65B4D1
制造商：
IXYS/IXYS Integrated Circuits Division
库存数量：
260
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 13:36:00

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原厂料号：IXXH80N65B4D1品牌：IXYS

资料说明：DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

IXXH80N65B4D1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IXYS/IXYS Integrated Circuits Division生产封装TO-247-3的IXXH80N65B4D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
ixxh80n65b4d1
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下载
企业简称：
IXYS详情
厂商全称：
IXYS Integrated Circuits Division
资料说明：
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

产品属性

类型
描述
产品编号：
IXXH80N65B4D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX4™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，80A
开关能量：
3.36mJ（开），1.83mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/112ns
测试条件：
400V，80A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247（IXXH）
描述：
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD

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IXXH80N65B4D1_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-IXYS

IXXH80N65B4D1

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