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STGP15M65DF2	文件：900.09 Kbytes Page：17 Pages	Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP15M65DF2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
G15M65DF2	文件：1.11098 Mbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V,15Alow-lossinaD²PAKpackage Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThedeviceispartoftheMseries IGBTs,whichrepresentanoptimalbalance betweeninvertersystemperformanceand efficiencywherelow-lossandshort-circuit functionalityareess	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB15M65DF2	文件：1.08019 Mbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V,15Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STGF15M65DF2	文件：398.27 Kbytes Page：6 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=15A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGF15M65DF2	文件：910.69 Kbytes Page：15 Pages	Trenchgatefield-stopIGBTMseries,650V15Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP15M65DF2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，15A
开关能量：
90µJ（开），450µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/93ns
测试条件：
400V，15A，12 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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