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STGH30H65DFB-2AG规格书详情
描述 Description
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
特性 Features
• 符合AEC-Q101
• 高速开关系列
• 最大结温：TJ = 175 °C
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
• 安全并联
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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