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STGH30H65DFB-2AG中文资料汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGH30H65DFB-2AG

功能描述

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:01:00

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STGH30H65DFB-2AG规格书详情

描述 Description

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员,有效平衡了导通损耗与开关损耗,大幅提升了频率转换器的效率。此外,它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布,使得并联操作更为安全。

特性 Features

• 符合AEC-Q101
• 高速开关系列
• 最大结温:TJ = 175 °C
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
• 安全并联
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管

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