Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in an H2PAK-2 package

Features • AEC-Q101 qualified • High-speed switching series • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A • Safer paralleling • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode Description This d

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该设备是新型“HB”系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)微正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。 • 符合AEC-Q101 \n• 高速开关系列 \n• 最大结温：TJ = 175 °C \n• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A \n• 安全并联 \n• 紧凑参数分布 \n• 低热阻 \n• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管;

ST

意法半导体

SDIP2B-26L

ST/意法

上传：深圳庞田科技有限公司

SDIP2B-26L

ST/意法

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NA

ST

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