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STGF3NC120HD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGF3NC120HD |
| 参数属性 | STGF3NC120HD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 6A 25W TO220FP |
| 功能描述 | 7 A、1200 V超快IGBT，带超高速二极管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 12:00:00 |
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STGF3NC120HD规格书详情
描述 Description
This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH™ technology combined with high voltage ultrafast diode.
特性 Features
• High voltage capability
• High speed
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
简介
STGF3NC120HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF3NC120HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGF3NC120HD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：1200
- PTOT_max(W)
：25
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：3
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：7
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：3
- VCE(sat)_typ(V)
：2.3
- VF_typ(V)
：1.6
- Qg_typ(nC)
：24
- Eon_typ(mJ)
：0.24
- Eoff_typ(mJ)
：0.29
- Qrr_typ(nC)
：85
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-220-3 FP |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 FP |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-220-3 FP |
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ST |
23+ |
TO-220FP |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 FP |
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ST(意法半导体) |
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TO-220FP |
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ST/意法 |
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TO-220FP |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
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询价 |
