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STGF3NB60FD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGF3NB60FD

参数属性

STGF3NB60FD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 6A 25W TO220FP

功能描述

IGBT 600V 6A 25W TO220FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:17:00

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STGF3NB60FD规格书详情

简介

STGF3NB60FD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGF3NB60FD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGF3NB60FD

  • 生产厂家

    :ST

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :6A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :24A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.4V @ 15V,3A

  • 功率 - 最大值

    :25W

  • 开关能量

    :125µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :16nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :12.5ns/105ns

  • 测试条件

    :480V,3A,10 欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr)

    :45ns

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装

    :TO-220FP

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