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STGB4M65DF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT; • 6 µs of short-circuit withstand time \n• VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A \n• Tight parameter distribution \n• Safer paralleling \n• Low thermal resistance \n• Soft and very fast recovery antiparallel diode; This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STGB4M65DF2	文件：1.16759 Mbytes Page：18 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
G4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stop,650V,4A,Mserieslow-lossIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2	文件：448.18 Kbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stop,650V,4A,Mserieslow-lossIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartoftheMseriesIGBTs,whichrepresentanoptimal balancebetweeninvertersystemperformanceandefficiencywherethelow-lossand theshort-circuitfunctionalityise	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD4M65DF2	文件：1.09091 Mbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,4Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF4M65DF2	文件：983.16 Kbytes Page：16 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,4Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
650
PTOT_max(W)：
68
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
4
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
8
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
4
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
8
VCE(sat)_typ(V)：
1.6
VF_typ(V)：
1.9
Qg_typ(nC)：
15.2
Eon_typ(mJ)：
0.04
Eoff_typ(mJ)：
0.14
Err_typ(µJ)：
15
Qrr_typ(nC)：
140

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