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STGB20NB37LZ分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGB20NB37LZ |
参数属性 | STGB20NB37LZ 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 425V 40A 200W D2PAK |
功能描述 | N-CHANNEL CLAMPED 20A D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
文件大小 |
50.67 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-23 10:38:00 |
STGB20NB37LZ规格书详情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.
■ POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
■ LOW THRESHOLD VOLTAGE
■ LOW ON-VOLTAGE DROP
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
■ ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL
APPLICATIONS
■ AUTOMOTIVE IGNITION
STGB20NB37LZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGB20NB37LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGB20NB37LZ
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 4.5V,20A
- 开关能量:
11.8mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
2.3µs/2µs
- 测试条件:
250V,20A,1 千欧,4.5V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D2PAK
- 描述:
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
N/A |
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询价 | ||
ST意法半导体 |
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TO-263 |
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ST |
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ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
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ST(意法) |
2002 |
TO263 |
65000 |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
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ST |
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