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STGB20NB32LZ-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STGB20NB32LZ-1
厂商型号

STGB20NB32LZ-1

功能描述

N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT

文件大小

494.28 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 14:05:00

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STGB20NB32LZ-1规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.

■ POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN

■ LOW THRESHOLD VOLTAGE

■ LOW ON-VOLTAGE DROP

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE

APPLICATIONS

■ ELECTRONIC IGNITION FOR AUTOMOTIVE

产品属性

  • 型号:

    STGB20NB32LZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    IGBT SMD 350V 20A I2-PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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