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STGB18N40LZ-1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGB18N40LZ-1 |
| 参数属性 | STGB18N40LZ-1 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 420V 30A 150W I2PAK |
| 功能描述 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
896 Kbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-26 19:00:00 |
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STGB18N40LZ-1规格书详情
STGB18N40LZ-1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGB18N40LZ-1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGB18N40LZ-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
- 测试条件：
300V，10A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
I2PAK（TO-262）
- 描述：
IGBT 420V 30A 150W I2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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