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STGB18N40LZ分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGB18N40LZ |
| 参数属性 | STGB18N40LZ 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 420V 30A 150W D2PAK |
| 功能描述 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
| 文件大小 |
636.58 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-24 11:00:00 |
STGB18N40LZ规格书详情
STGB18N40LZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体（ST）集团制造生产的STGB18N40LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
STGB18N40LZT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
- 测试条件：
300V，10A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 420V 30A 150W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
D2PAKTO220MONOC. |
96447 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ST |
2016+ |
TO263 |
16393 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAKTOTO-220MONOC. |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
STM原厂目录 |
23+ |
D2PAK;TO-220 |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220MONOC.. |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3415 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST意法半导体 |
22+21+ |
TO-263 |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
