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STGB18N40LZ分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGB18N40LZ
厂商型号

STGB18N40LZ

参数属性

STGB18N40LZ 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 30A 150W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

632.91 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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STGB18N40LZ规格书详情

STGB18N40LZ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGB18N40LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

描述 Description

This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

特性 Features

■ AEC Q101 compliant

■ 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 °C, L = 3 mH

■ ESD gate-emitter protection

■ Gate-collector high voltage clamping

■ Logic level gate drive

■ Low saturation voltage

■ High pulsed current capability

■ Gate and gate-emitter resistor

Application

■ Pencil coil electronic ignition driver

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGB18N40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    650ns/13.5µs

  • 测试条件:

    300V,10A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 420V 30A 150W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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