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STGB10M65DF2中文资料沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗数据手册ST规格书
STGB10M65DF2规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• 6 µs of short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
• Tight parameter distribution
• Safer paralleling
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Low thermal resistance
• Soft and very fast recovery antiparallel diode
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
技术参数
- 制造商编号
：STGB10M65DF2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：115
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：1.5
- Qg_typ(nC)
：28
- Eon_typ(mJ)
：0.12
- Eoff_typ(mJ)
：0.27
- Err_typ(µJ)
：52
- Qrr_typ(nC)
：373
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