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STG3P3M25N60中文资料3 Phase inverter IGBT - SEMITOP®3 module数据手册ST规格书

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厂商型号

STG3P3M25N60

功能描述

3 Phase inverter IGBT - SEMITOP®3 module

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:10:00

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技术参数

  • 型号:

    STG3P3M25N60

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 3 Phase invertr IGBT SEMITOP3 mod

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
BGA
880000
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