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STF4LN80K5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STF4LN80K5
厂商型号

STF4LN80K5

功能描述

N-channel 800 V, 2.1 Ω typ., 3 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

丝印标识

4LN80K5

封装外壳

TO-220FP

文件大小

719.12 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 11:28:00

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STF4LN80K5规格书详情

Features

 Industry’s lowest RDS(on) * area

 Industry’s best FoM (figure of merit)

 Ultra low-gate charge

 100 avalanche tested

 Zener-protected

Applications

 Switching applications

Description

This very high voltage N-channel Power

MOSFET is designed using MDmesh™ K5

technology based on an innovative proprietary

vertical structure. The result is a dramatic

reduction in on-resistance and ultra-low gate

charge for applications requiring superior power

density and high efficiency.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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