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STP45N65M5	文件：332.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW45N65M5	文件：1.68457 Mbytes Page：20 Pages	N-channel650V,0.067typ.,35AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,TO-220FPandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW45N65M5	文件：1.27445 Mbytes Page：18 Pages	N-channel650V,35A,0.067廓typ.,MDmesh??VPowerMOSFETsinTO-3PF,TO-247andTO-247longleadspackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW45N65M5	文件：351.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.078Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW45N65M5	文件：436.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STWA45N65M5	文件：324.45 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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技术参数

Package：
TO-220FP
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
650
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.078
Drain Current (Dc)_max(A)：
35
PTOT_max(W)：
40
Qg_typ(nC)：
82

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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