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STF2N95K5中文资料N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STF2N95K5

功能描述

N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:22:00

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STF2N95K5规格书详情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STF2N95K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :5

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :2

  • PTOT_max(W)

    :20

  • Qg_typ(nC)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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