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STF28N60DM2中文资料N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF28N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF28N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.16
- Drain Current (Dc)_max(A)
：21
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：34
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：140
- Qrr_typ(nC)
：500
- Peak Reverse Current_nom(A)
：7.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
TO-220FP-3 |
9850 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220FP-3 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
Through Hole |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
Through Hole |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220F |
7828 |
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询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268731邹小姐 |
询价 |
