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STF22NM60N中文资料N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF22NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STF22NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.22
- Drain Current (Dc)_max(A)
：16
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：44
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
23+ |
NA |
26094 |
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ST/意法 |
21+ |
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500000 |
原装正品 |
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24+ |
原装 |
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ST |
24+ |
TO220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
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原装正品 支持实单 |
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ST |
2101+ |
TO220F |
6000 |
全新原装公司现货
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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