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STF21N65M5中文资料N沟道650 V、0.150 Ohm典型值、17 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF21N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
特性 Features
• Worldwide best RDS(on) * area
• Higher VDSS rating
• High dv/dt capability
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STF21N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.179
- Drain Current (Dc)_max(A)
：17
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：50
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST(意法) |
2511 |
TO-220FP |
8484 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TOSHIBA |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
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询价 | ||
ST |
17+ |
TO-220F |
3000 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-220FP |
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ST/意法 |
23+ |
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24+ |
N/A |
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