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STF16N60M2	文件：301.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF16N60M2	文件：383.93 Kbytes Page：13 Pages	Extremely low gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD16N60M2	文件：453.02 Kbytes Page：16 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL16N60M2	文件：479.46 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.290廓typ.,8AMDmesh??M2PowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP16N60M2	文件：453.16 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,12AMDmesh??M2PowerMOSFETinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thesedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics, renderingthemsuitableforthemostdemanding higheff	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU16N60M2	文件：453.16 Kbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.28廓typ.,12AMDmesh??M2PowerMOSFETinTO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs developedusingMDmesh™M2technology. Thankstotheirstriplayoutandimprovedvertical structure,thesedevicesexhibitlowon-resistance andoptimizedswitchingcharacteristics, renderingthemsuitableforthemostdemanding higheff	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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