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STF15NM65N中文资料N沟道650 V、0.35 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF15NM65N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFETs associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STF15NM65N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.38
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：30
- Qg_typ(nC)
：33.3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
6000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220F |
50000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
6800 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220F |
50000 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法 |
25+ |
TO220F |
54648 |
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