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STF13NM60N数据手册ST中文资料规格书
STF13NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STF13NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.36
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：25
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220F |
34000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
TO220F |
23+ |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
19+ |
TO-220F |
11350 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO220 |
9800 |
原厂原装假一赔十 |
询价 | ||
STM |
3953 |
原装正品 |
询价 | ||||
NA |
23+ |
NA |
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ST |
24+ |
TO220 |
8500 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO220F |
150 |
原装环保房间现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |
